Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BSS138

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BSS138. C(in): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.

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BSS138-7-F

BSS138-7-F

C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Meng...
BSS138-7-F
C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
BSS138-7-F
C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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