Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Triacs und Diacs

BT136-800E

BT136-800E
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BT136-800E. Gehäuse: TO-220. VDRM: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: empfindlicher Gate-Triac. Igt (max): 10mA. Igt (Typ): 2.5mA. Ih (max): 15mA. Ih (Typ): 2.2mA. IT(RSM) (TC=85°C): 4A. Es ist M: 25A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spec info: Itsm--t=20ms 25A, t=16.7ms 27A. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

Technische Dokumentation

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VDRM: 800V. Typ: TRIAC. Maximaler Dauerstrom: 8A. Gate-Triggerstrom Igt: 10mA. Gehäuse: TO-220AB. Eigenschaften des Halbleiters: Sensibles Tor. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Zusammenfassung: 4Q Triac. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spec info: ITSM--65Ap tp=20mS, 71Ap tp=16.7mS
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VDRM: 800V. Typ: TRIAC. Maximaler Dauerstrom: 8A. Gate-Triggerstrom Igt: 10mA. Gehäuse: TO-220AB. Eigenschaften des Halbleiters: Sensibles Tor. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Zusammenfassung: 4Q Triac. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tgt: 2us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spec info: ITSM--65Ap tp=20mS, 71Ap tp=16.7mS
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