BUV27A
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.37€ | 2.84€ |
| 5 - 9 | 2.26€ | 2.71€ |
| 10 - 24 | 2.14€ | 2.57€ |
| 25 - 49 | 2.02€ | 2.42€ |
| 50 - 99 | 1.97€ | 2.36€ |
| 100 - 249 | 1.92€ | 2.30€ |
| 250+ | 1.83€ | 2.20€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 4 | 2.37€ | 2.84€ |
| 5 - 9 | 2.26€ | 2.71€ |
| 10 - 24 | 2.14€ | 2.57€ |
| 25 - 49 | 2.02€ | 2.42€ |
| 50 - 99 | 1.97€ | 2.36€ |
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BUV27A. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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