Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYT52M

BYT52M
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BYT52M. Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 16:25.

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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5....
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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