Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYT52M

BYT52M
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BYT52M. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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