BZW06-15B

BZW06-15B

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Stückpreis
1-4
0.27€
5-24
0.22€
25-49
0.20€
50-99
0.18€
100+
0.15€
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BZW06-15B. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung (Min): 17.1V. Durchbruchspannung: 15V. Funktion: Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3mm ). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Hinweis: 600W / 1ms, VRM 15.3V. Information: -. Komponentenfamilie: Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15.3V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 15.3V. Serie: BZW06. Spec info: Ifsm 100Ap. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 24A. Spitzenverlustleistung: 600W. Struktur: bidirektional. Temperatur: +175°C. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:38

Technische Dokumentation (PDF)
BZW06-15B
30 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung (Min)
17.1V
Durchbruchspannung
15V
Funktion
Überspannungsschutz, bidirektionale Schutzdiode
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 ( 6.3x3mm )
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
15.3V
Hinweis
600W / 1ms, VRM 15.3V
Komponentenfamilie
Zweiwege-Entstörer der BZW 06-Serie (600 W bei 1 ms)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 15.3V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
RoHS
ja
Rückwärts-Abstandsspannung
15.3V
Serie
BZW06
Spec info
Ifsm 100Ap
Spitzenimpulsstrom (10/1000us)
24A
Spitzenverlustleistung
600W
Struktur
bidirektional
Temperatur
+175°C
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
18.9V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor