Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BZW06-20

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BZW06-20. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Überspannungsschutz, unidirektionale Schutzdiode. Durchbruchspannung: min 22.8V, nom 24V, max 25.2V (1mA), clamping 33.2V (18A). RoHS: ja. Spec info: 600W / 1ms, VRM 20.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 600W. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 (6.3x3mm). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 09:25.

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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm )
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 5W, max 600W 1ms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm )
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