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CM200DY-24H. C(in): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dualer IGBT-Transistor (isoliert). Kollektorstrom: 200A. Ic(Impuls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Abmessungen: 108x62x31mm. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: Hochleistungsschaltung. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.
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