CNY75A
Menge
Stückpreis
1-4
0.55€
5-24
0.45€
25-49
0.40€
50-99
0.36€
100+
0.31€
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CNY75A. Anzahl der Terminals: 6. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+110°C. CTR: 63...125 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Gehäuse: DIP. Ic(Impuls): 100mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Kollektorstrom: 50mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Teilung: 7.62mm. Tf (Typ): 2.7us. Tr: 2us. VCBO: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:30
CNY75A
25 Parameter
Anzahl der Terminals
6
Ausgang
Transistorausgang mit Basis
Betriebstemperatur
-55...+110°C
CTR
63...125 %
Courant ZF-Diode (Spitze)
3A
Diode IF
60mA
Diodenleistung
70mW
Diodenschwellenspannung
1.25V
Funktion
Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-6
Gehäuse
DIP
Ic(Impuls)
100mA
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
70V
Kollektorstrom
50mA
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70mW
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Teilung
7.62mm
Tf (Typ)
2.7us
Tr
2us
VCBO
70V
VECO
7V
VRRM
6000V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay