CSD17313Q2T

CSD17313Q2T. C(in): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 17W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Gehäuse: WSON6. Gehäuse (laut Datenblatt): 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.