Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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DSEI12-12A

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DSEI12-12A. Vorwärtsstrom (AV): 11A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.6V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2A. Originalprodukt vom Hersteller IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 12:25.

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DSEP12-12A

DSEP12-12A

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1...
DSEP12-12A
Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.79V
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Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.79V
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TDA1558Q

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