DSEP30-12A

DSEP30-12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.74V. Durchlassspannung Vf (min): 1.78V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 165W. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Originalprodukt vom Hersteller IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.