FDA16N50-F109

FDA16N50-F109. C(in): 1495pF. Kosten): 235pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 490 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA16N50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 01:25.