FDC642P

FDC642P. C(in): 700pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 642. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 642. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.