FDD4141

FDD4141. C(in): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Hochleistungs-Trenchtechnik“. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD4141. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Einschaltwiderstand Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.