Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.32€ | 3.98€ |
5 - 9 | 3.15€ | 3.78€ |
10 - 24 | 2.99€ | 3.59€ |
25 - 49 | 2.82€ | 3.38€ |
50 - 99 | 2.75€ | 3.30€ |
100 - 249 | 2.69€ | 3.23€ |
250 - 293 | 2.59€ | 3.11€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.32€ | 3.98€ |
5 - 9 | 3.15€ | 3.78€ |
10 - 24 | 2.99€ | 3.59€ |
25 - 49 | 2.82€ | 3.38€ |
50 - 99 | 2.75€ | 3.30€ |
100 - 249 | 2.69€ | 3.23€ |
250 - 293 | 2.59€ | 3.11€ |
FDD6296. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.
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