FDD6612A

FDD6612A. C(in): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.