FDD6672A

FDD6672A. C(in): 5070pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 8.2M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 23:25.