FDD8878

FDD8878. C(in): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.