FDH45N50F-F133

FDH45N50F-F133. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDH45N50F. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 215 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.