FDN358P

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.60€	0.72€
5 - 9	0.57€	0.68€
10 - 24	0.54€	0.65€
25 - 49	0.51€	0.61€
50 - 99	0.50€	0.60€
100 - 249	0.52€	0.62€
250 - 1316	0.47€	0.56€

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Set mit 1

FDN358P. C(in): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS: 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 358. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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