FDP18N50

FDP18N50. C(in): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.