FDPF12N50NZ

FDPF12N50NZ. C(in): 945pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 46A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.46 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 23 nC), niedriger CrSS 14 pF. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.