FDPF5N50T

FDPF5N50T. C(in): 480pF. Kosten): 66pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 11 nC), niedriger Crss 5 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.