N-Kanal-Transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD. N-Kanal-Transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 47ms. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 11:25.