Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 1 | 9.36€ | 11.23€ |
2 - 2 | 8.89€ | 10.67€ |
3 - 4 | 8.43€ | 10.12€ |
5 - 9 | 7.96€ | 9.55€ |
10 - 19 | 7.77€ | 9.32€ |
20 - 21 | 7.58€ | 9.10€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 9.36€ | 11.23€ |
2 - 2 | 8.89€ | 10.67€ |
3 - 4 | 8.43€ | 10.12€ |
5 - 9 | 7.96€ | 9.55€ |
10 - 19 | 7.77€ | 9.32€ |
20 - 21 | 7.58€ | 9.10€ |
FGA60N65SMD. C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 47ms. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.
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