FP101

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FP101. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP4. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Anzahl der Terminals: 7. Menge pro Karton: 1. Spec info: 2SB1121 und SB05-05CP in einem Gehäuse integriert. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.

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