FQA10N80C

FQA10N80C. C(in): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 730 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA10N80C. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 18:25.