FQA19N60

FQA19N60. C(in): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.