Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQA24N50

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FQA24N50. C(in): 3500pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.

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C(in): 4200pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS
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