FQA28N15

FQA28N15. C(in): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 227W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.