FQAF11N90C

FQAF11N90C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQAF11N90C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.91 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.