FQB27P06TM

FQB27P06TM. C(in): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.