FQD30N06L

FQD30N06L. C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N06L. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.