FQD7N10L

FQD7N10L. C(in): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQD7N10L. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funktion: Niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.