FQP19N10

FQP19N10. C(in): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 78 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.