FQP50N06L

FQP50N06L. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 121W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 04:25.