Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C
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N-Kanal-Transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - FQP9N90C. N-Kanal-Transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 45 nC, niedriger CrSS 14 pF. Id(imp): 32A. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
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