FQPF10N60C

FQPF10N60C. C(in): 1570pF. Kosten): 166pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 144 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 44 nC, niedriger CrSS 18 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.