FQPF19N20C

FQPF19N20C. C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 03:25.