N-Kanal-Transistor, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20C

N-Kanal-Transistor, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20C. N-Kanal-Transistor, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 15:25.