FQPF3N80C

FQPF3N80C. C(in): 543pF. Kosten): 54pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 642 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 13 nC, niedriger CrSS 5,5 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.