FQPF7N80C

FQPF7N80C. C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 56W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC), niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 03:25.