FQPF8N80C

FQPF8N80C. C(in): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 59W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.