FQPF9N90C

FQPF9N90C. C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.