FQT1N60CTF

FQT1N60CTF. C(in): 130pF. Kosten): 19pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQT1N60C. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 03:25.