FQT4N20LTF

FQT4N20LTF. C(in): 240pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Kosten): 36pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 10:25.