FQU11P06

FQU11P06. C(in): 420pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 83 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 03:25.