FQU20N06L

FQU20N06L. C(in): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: niedrige Gate-Ladung (typisch 9,5 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 07:25.