HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G20N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typische Abfallzeit 140 ns bei 150 °C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.