HUF75645S3S

HUF75645S3S. C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 S. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AB ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.