IGBT transistor BUP313. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 530 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-218. Herstellerkennzeichnung: BUP313. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 32A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. RoHS: nein. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 64A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16