IGBT-Transistoren

IGBT transistor. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-218. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUP313. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 32A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 530 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 64A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGA40N65SMD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 650V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 120ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 174W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGL40N120AND. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264-3L. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7.5V. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 12N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 54A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 167W. Maximaler Kollektorstrom (A): 96A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 35 ns. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HG20N60B3. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 165W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G03H1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 3A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 281 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Maximaler Kollektorstrom (A): 9.9A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G60T120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 480 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 375W. Maximaler Kollektorstrom (A): 150A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): NINCS

IGBT transistor. C(in): 1800pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 40A. Leistung: 305W. Gehäuse: TO-247AC

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110W. Gehäuse: TO-220AB

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K25T1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 265 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.4V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 349W. Maximaler Kollektorstrom (A): 100A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 82A. Leistung: 428W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 43 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 64A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.27V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Maximaler Kollektorstrom (A): 32A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20S. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 19A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 38A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20S. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 10A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 38A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 13A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 39 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 93 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 52A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20U. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 13A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 21 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 86 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 52A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC30FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 31A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC30KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 28A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 56A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C